本文进行了BST基介质陶瓷的制备和介电性能的研究。旨在研制一种具有压控特性的微波铁电陶瓷材料,通过BZN体系的添加和Mn元素的掺杂,改善材料性能。采用传统电子陶瓷工艺制备了BZN陶瓷[yBi₂O₃-ZnO-Nb₂O₅（y=1.0）],物相分析表明,其物相为符合反应物化学计量比的α-立方焦绿石结构的Bi_1.5Zn₀.76)Nb_1.5O_6.8,可实现880℃烧结。居里温度为+10℃,测试频率为1MHz时介电常数可达180,介电损耗为0.9×10^-3。BZN体系显示出的介电常数随温度变化的特性,主要是来源于Bi_1.5Zn_0.76Nb_1.5O_6.8微观结构中的极化位移。作为BST/BZN陶瓷掺杂物的BZN体系可低温烧结,介电损耗很低,几乎无偏场可调性。随铋含量增加,BZN的致密烧结温度降低,BZN的居里峰向正温度方向大幅度移动,且介电常数提高。这是由于物相Bi_1.5Zn_0.76Nb_1.5O_6.8量随铋含量的增加而增加,介电常数很低的ZnNb₂O₆、Bi₂O₃的量相应减少。实验制备出适合低温烧结的BST/BZN材料组成体系。生成物相为立方相Ba_0.6Sr_0.4TiO₃和四方相Ba_0.5Sr_0.5Nb₂O₆。微观形貌中,立方相Ba_0.6Sr_0.4TiO₃以椭球形晶粒形式存在,四方相Ba_0.5Sr_0.5Nb₂O₆以针棒状晶形式存在。BST/BZN介质陶瓷的居里温度在-25℃,-40℃到-10℃之间居里峰产生展宽效应。1MHz测试频率下,BST/BZN介质陶瓷的介电损耗为8.84×10^-3,介电常数为825。偏场可调性Tunability（0.73kV/mm）=1.17%。烧结温度提升到1180℃后,介电损耗变小,偏场可调性Tunability（0.86kV/mm）=1.24%。减少BZN掺杂量后,BST/BZN介质陶瓷的物相为Ba_0.6Sr_0.4TiO₃单相,材料的居里温度在-40℃以下,与BZN掺杂量较多时相比,居里温度降低。1MHz测试频率下,样品介电损耗增加,tanδ=15.23×10^-3,偏场可调性Tunability（0.93 kV/mm）= 1.25%。这是由于样品物相中,存在着一定数量的ZnNb₂O₆和Bi₂O₃,导致样品介电损耗增加。研究结果显示,适量Mn离子的掺杂可以降低BST材料的损耗,减小介电常数。材料的居里温度可以通过改变配方组成进行调节,当居里温度为0℃时,可调性Tunability（1.2kV/mm）=27%,损耗值为3×10^-3,而调节居里温度至-13℃时Tunability（1.2kV/mm）=12%,损耗值为2.5×10^-3。材料的居里温度和介电性能与材料的铁电相含量有关,其介电常数可调性和介电损耗均随铁电相含量增大而增大。