【摘 要】
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本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效
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本论文分析了硅材料中场致线性电光效应和等离子色散效应的物理机制，并采用一种横向电光调制系统对两种效应进行了实验测量和区分，实验结果表明在近本征硅材料中，场致线性电光效应是主要的电光响应机制，为此，我们尝试以场致线性电光效应为工作机制，设计和研制硅基场致电光调制器的原型器件。首先，我们采用Optiwave BPM软件，结合有效折射率法对硅基场致电光调制器进行了设计与模拟，调制器采用Mach-Zender (MZ)干涉结构，重点模拟与分析了调制器的波导尺寸和耦合结构对插入损耗的影响，在此基础上，设计了光刻版图，运用传统半导体工艺研制了硅基电光调制器的原型器件，并对调制器的基本参数进行了简单测试。本项研究工作为研究和改善硅基电光器件提供了一种新思路。
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