本文以制备低压ZnO压敏陶瓷材料为目的,论述了低压ZnO压敏陶瓷的性能、用途、分类、实现低压化的方法、国内外的研究动态及发展趋势;研究了制备低压ZnO压敏陶瓷的基本工艺和方法,包括压制成型时的压强和粘结剂用量的选择;研究了烧结工艺中烧结温度、保温时间及升温速率对低压ZnO压敏陶瓷电性能和致密度的影响规律,优化了低压ZnO压敏陶瓷的烧结工艺。研究结果表明:坯体的成型极限压强为20Mpa、粘结剂加入量为12wt%时低压ZnO压敏陶瓷的各项性能最优;低压ZnO压敏陶瓷的最佳的烧成工艺条件为:烧成温度1200℃,保温时间2h,升温速率7℃/min。本文首次采用正交试验法,利用制备ZnO压敏陶瓷的常规工艺,系统研究了Bi、Ti、Co、Mn、Sn、Sb等6种元素氧化物对ZnO压敏陶瓷性能的影响,得出低压ZnO压敏陶瓷的最佳配方为:1.25%Bi₂O₃+0.4%TiO₂+0.4%Co₂O₃+1%MnO₂+1%SnO₂+1%Sb₂O₃ +94.95%ZnO。在最佳烧结工艺条件下烧结,压敏电压为10.15V,漏电流为2.05μA,非线性系数为22.2。在低压配方的基础上,通过添加稀土元素氧化物Y₂O₃做了改性试验,研究了Y₂O₃掺杂对低压ZnO压敏陶瓷电性能的影响规律及作用机制。研究发现:Y₂O₃的加入能使低压ZnO压敏陶瓷的非线性系数增大,漏电流相应的减小,但同时会使压敏电压大幅度提高,同时,Y₂O₃的掺杂会使低压ZnO压敏陶瓷的晶粒尺寸明显减小,并且大小和分布更为均匀。