虽然目前有大量关于ZnGeP2, HgGa2S4, AgGaS2, GaSe和AgGa1-xInxSe2等重要非线性晶体的线性和非线性特性的文献报道,然而,对于同种晶体而言,不同文献报道的倍频相位匹配角度确有很大的不同。有的理论计算和实验差别超过了10°,给这些晶体的实际应用带来了很大的不便。在高功率非线性频率转换设备中,晶体由于对泵浦光的剩余吸收而被加热,这使得晶体位相匹配条件发生了改变,使相位失配,导致了转换效率的降低。此外,通过温度调谐可以使晶体实现靠角度调谐不能实现的非临界相位匹配。不同于角度调谐的是,在非临界相位匹配中,泵浦光90度入射,从而消除了光在晶体中的走离效应。因此,温度的稳定性和温度调谐能力就成为晶体性能的一个重要参数。本文中,我们研究了ZnGeP2 ,HgGa2S4, AgGaS2和AgGa0.35In0.65Se2以及不同光学质量的GaSe和S掺杂的GaSe晶体的倍频相位匹配及其温度色散特性。为寻找适于中、远红外及太赫兹波段光源产生的优质非线性晶体进行了尝试。