5G通信具有多连接、低时延、高带宽的特点。在5G通信中,随着通信设备的工作频率扩展到毫米波段,信号延迟和带宽问题成为关注的焦点。需要积极探索低相对介电常数（εr＜15）、高品质因数的微波介质陶瓷满足应用需求。一般来说,波长较短的电磁波频率较高,在传播介质中更容易失真。这需要具有低介电常数的材料来支持高信号传播速度并最大限度地减少基板和导体之间的交叉耦合;同时,介电材料具有低介电损耗,提高了工作频率选择性和耐用性。此外,具有低介电常数的材料通常具有更高的品质因数,这使得它们在高频信号传播中具有潜在的用途。CaMgGe2O6陶瓷具有低的介电常数（εr=7.96）,非常适合用于毫米波通信中,可作为微波集成电路的基板材料,从而引起国内外的广泛研究。但是其较低的品质因数,负的频率温度系数（τf≈-46.6 ppm/℃）以及较高的烧结温度（ST=1300℃）都会阻碍CaMgGe2O6陶瓷在微波领域的进一步应用。本论文在CaMgGe2O6陶瓷介电常数保持在一定范围内的前提条件下,采用Zn2+、Cu2+离子取代Mg2+从而改善陶瓷的Q×f值,降低烧结温度;掺杂烧结助剂B2O3来实现陶瓷的低温烧结。（1）采用固相烧结法制备陶瓷样品,Zn2+、Cu2+取代CaMgGe2O6陶瓷中的Mg2+,并研究体系中两种阳离子对陶瓷物相组成、表面形貌、晶体结构和微波介电性能的影响。实验结果表明,在指定范围内,随着取代物浓度的增加,均形成了稳定固溶体,没有第二相生成。εr的变化主要受离子极化率和密度的影响,Q×f值的增减主要取决于陶瓷的相对密度和温度、掺杂取代物的浓度,τf均随着取代量的增加持续负方向移动。在1290℃烧结,Zn2+掺杂量为x=0.2时,Ca Mg1-xZnxGe2O6陶瓷具有最佳的微波介电性能,介电常数εr为7.88,品质因数Q×f为64976 GHz,谐振频率温度系数τf为-36.9 ppm/℃。在1200℃烧结,Cu2+掺杂量为x=0.03时,Ca Mg1-xCuxGe2O6陶瓷具有最佳的微波介电性能,介电常数εr为7.32,品质因数Q×f为25264 GHz,谐振频率温度系数τf为-31.4 ppm/℃。（2）通过添加烧结助剂,能够调节CaMgGe2O6陶瓷的烧结温度。CaMgGe2O6陶瓷体系中添加适量B2O3,陶瓷物相组成、表面形貌和微波介电性能均发生了改变。通过XRD分析可知,陶瓷中同时含有CaMgGe2O6晶相和B2O3晶相,CaMgGe2O6-B2O3陶瓷的表观密度和介电常数随着B2O3浓度的增加不断上升。其中,在930℃烧结的组分,当B2O3浓度为13%时,CaMgGe2O6陶瓷具有最佳的微波介电性能,介电常数εr为7.62,品质因数Q×f为30014GHz,谐振频率温度系数τf为-39.9 ppm/℃。（3）最后,发现添加13wt.%B2O3烧结助剂,930℃烧结的CaMgGe2O6陶瓷为合适的LTCC基板材料,并设计出了一款LTCC带通滤波器。滤波器仿真性能为中心频率2.5GHz,带宽150Mhz,通带内插损小于0.2dB,回波损耗大于20dB,在小于2.2GHz或大于2.8GHz的带外抑制小于40dB。