纳米晶太阳电池以其制备简单、成本低、发展空间广等优势得到了广泛的关注。太阳电池的光阳极主要材料有ZnO和TiO2,而p-CuSCN与两者的能带匹配良好,有着较高的光透过率、较好的稳定性和良好的半导体性能方便空穴的传输等优点,是优良的太阳电池p型窗口材料,成为近年来的研究热点。本文主要综述了太阳能电池的发展现状,并以水为溶剂,用不同的络合剂掩蔽Cu2+,制备了稳定的电沉积液,采用电化学沉积法在ITO导电玻璃上制备出了化学性能稳定、形貌良好、高纯度、透光性良好的CuSCN薄膜,对沉积液的线性伏安曲线扫描表明,适合的沉积电压为-200～-600mV。采用XRD、 FE-ESEM、EDS、UV-VIS等表征了材料的各参数,结果显示：薄膜为p型半导体；XRD图谱基本上无杂峰,纯度很高,晶粒生长的取向十分明显；形貌为完美的三角锥形,晶粒的生长服从岛状生长模式；对薄膜进行光学性能分析表明,薄膜在300～400nm处有很强的吸收,计算表明,材料的禁带宽度为3.52eV。通过分析恒定电压下,电流—时间曲线,分析了薄膜的形成机理。讨论了不同的络合物对实验结果的影响,最终确定乙醇胺的络合效果最好。研究了不同化学计量比、不同的沉积时间及沉积电压对薄膜的形貌、粒径等的影响,最后得出最佳的沉积条件为：电解液组成0.01mol/l的CuSO4+0.04mol/l的KSCN+0.1mol/l的MEA,沉积电位-450mV(vsAg/AgCl),沉积时间1200s。最后,本论文探索了在沉积了CuSCN薄膜的基底上制备ZnO的方法,通过XRD、SEM表征显示,通过先旋涂籽晶,采用水热法制备ZnO纳米阵列的办法是可行的。