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目的使用金属氧化物半导体场效应晶体管探测器(MOSFET )测量表面剂量,探讨X射线、电子线照射时不同厚度组织补偿胶对表面剂量的影响,为临床放疗提供剂量学实验依据。方法1.将MOSFET探测器进行剂量刻度,计算出探头的校准因子。2.实验分为六组,选用6MV、15MV X射线进行照射,未加组织补偿胶为0组,加上组织补偿胶后按厚度从小到大(3mm,5mm,10mm,15mm,20mm)依次记为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和Ⅴ组,MOSFET探测器的探头置于体模表面,Ⅰ～Ⅴ组将组织补偿胶敷贴于体模表面照射,0组直接照射。照射条件:源皮距为100cm,射野大小10cm×10cm,加速器输出100MU,对应剂量100cGy。MOSFET探测器测量各组剂量,每组测10次。3.选用6MeV、9MeV、12MeV电子线进行照射,方法同2。结果1. 6MV X射线照射时测得探头的校准因子平均值为3.88mV/cGy,由于同一探头对各能量X射线、电子线有较好的能量响应性,15MV X射线与电子线照射时探头的校准因子亦取3.88mV/cGy。2. X射线照射时,加上补偿胶后表面剂量明显高于未加补偿胶的表面剂量,6MV、15MV X射线最高分别增加109%和224%,且各个补偿胶组与未加补偿胶组测得的数据比较差异有统计学意义(P<0.01),随着补偿胶厚度的增加,表面剂量增加的百分比依次增加;不同厚度补偿胶组数据两两之间比较差异有统计学意义(P<0.01)。3.电子线照射时,加上补偿胶后表面剂量高于未加补偿胶的表面剂量,6MeV、9MeV,12MeV电子线最高分别增加32.9%,24.9%和19.7%,且各个补偿胶组与未加补偿胶组测得的数据比较差异有统计学意义(P<0.01),随着补偿胶厚度的增加,表面剂量增加的百分比先增加后降低;不同厚度补偿胶组数据两两之间比较差异有统计学意义(P<0.01)。结论X射线和电子线照射时,加上补偿胶后表面剂量均增加;各种厚度的补偿胶对表面剂量的影响不一,补偿胶对表面剂量的增加,是由于在表面加了一层接近等效水的覆盖物,因此在剂量建成区内,等效水(补偿胶密度×厚度)的厚度影响剂量增加。临床放射治疗中需要结合临床选用合适的射线及补偿胶。