信息化高速增长，带动磁盘理论技术的进步，磁盘记录密度保持着约30%平均年增长率。超顺磁影响的限制制约着磁盘记录密度的无限提高，出现在磁盘市场上磁盘中最高磁记录密度日益接近垂直磁记录理论极限。为克服或缓解超顺磁影响的限制，进一步提高磁盘记录密度，学术界提出了许多新型磁记录技术。TDMR技术引入后，瓦记录存储技术通过与二维信号处理相结合，记录密度能得到大幅度提高。与其它技术相比，瓦记录记录技术可以在现有记录介质与磁头工艺下实现，因而受到了广泛关注，在瓦记录存储技术高密度的可行性研究方面可知，记录密度能提高到10TB/in2。然而瓦记录技术与传统技术读写特性不同，读写数据时会出现道数据干扰问题，写数据时不能直接更新，因此在写性能上，瓦记录难以达到传统磁盘的性能。通过对大量读写Trace进行分析，一天内大部分数据都不会改变，小部分数据改变影响的空间也非常小，所以可以使用一块能随机访问存储区域对这一小部分数据进行随机读取，然后整体写回。本文引入了软件中间层模型，结合上面思想，将存储数据的区域分为随机访问区与瓦记录区域，读写数据时，直接在随机访问区中完成，待需要写回时，将数据整体写回。软件中间层模型引入后避免了瓦记录技术不能直接更新的特点，透明支持多种通用文件系统，同时读写平均性能接近传统磁盘平均性能25%，连续IO请求时表现出较好的性能，但不太受Band大小影响。