卤代酚是一种高毒性、高致癌性、高致畸性的新兴污染物,已被我国环保部、美国国家环保局、欧洲委员会等多部门划入优先控制污染物名单。但是针对卤代酚污染物,传统的生物、物理、化学处理方法已经无法满足治理要求。光催化技术是一种新型的污染物治理技术,通过将太阳能转化为化学能,实现对污染物的降解转化,兼具选择性降解与无选择性矿化的能力,成为污染物处理领域的研究热点。而光催化技术发展的核心要素在于半导体光催化材料的设计制备。因此本论文以2,4-DCP作为代表性污染物,从光催化半导体材料的设计合成入手,开展了以下两方面的工作:（1）通过形貌调控和引入还原氧化石墨烯（rGO）实现了对BiVO₄光生电子的调控及对2,4-DCP的高效光催化降解。首先,以油酸钠调制的水热法合成出BiVO₄量子管。随后通过原位水热还原的方法,制备BiVO₄量子管与还原氧化石墨烯（rGO）复合结构。最终,复合样品表现出优异的光催化降解2,4-DCP活性,分别是BiVO₄量子管和普通BiVO₄的4.2倍和9.3倍。其活性的提高主要归功于以下两方面:首先,通过调控合成量子管BiVO₄可以有效提高其导带位置,提高BiVO₄光生电子还原能力以及电荷分离能力,并且能够缩小电荷传输所需距离。其次,rGO的引入可以作为电荷传输通道,实现BiVO₄光生电子和空穴的空间分离。（2）通过晶面调控和引入氧化锡（SnO₂）高能级电子平台实现了对BiVO₄光生电子和空穴的调控以及对2,4-DCP的高效光电催化转化。首先,以十二烷基苯磺酸钠调制的水热法制备合成出（010）晶面暴露BiVO₄纳米片。随后通过原位水热的方法引入SnO₂纳米颗粒,最后通过刮涂法制备出SnO₂/（010）晶面暴露BiVO₄光阳极。最终复合样品光阳极表现出优异的光电催化转化2,4-DCP性能,是普通BiVO₄的7.3倍。其活性的提高主要归功于两方面:首先,由于（010）晶面暴露BiVO₄纳米片对2,4-DCP的选择吸附性,BiVO₄光生空穴直接攻击2,4-DCP的C-Cl键,加快了光生空穴的动力学反应速率。其次,SnO₂高能级电子平台的引入,延长了BiVO₄高能级电子的寿命以及BiVO₄的电荷分离效率。