等离子体腔室放电广泛应用于IC制造中的薄膜沉积、刻蚀工艺中,是现代工艺装备中的重要部件。等离子体腔室中的电磁场的均匀性直接影响硅晶圆的品质等。因此等离子体腔室中的电磁场分析对IC装备的研究、设计具有重要的意义。低频容性耦合等离子体腔室的激励频率较低、腔室尺寸较小,此时,腔室的尺寸远小于腔室中的电磁波波长。根据这个特点,本文对一种典型的PECVD腔室建立其对应的二维简化静电腔室模型。文中通过与三维静电腔室模型在计算精度和计算时长上进行对比,验证简化腔室模型的合理性。容性耦合等离子体腔室的尺寸较大并且激励频率较高时,腔室的尺寸与腔室中电磁波的波长相当,传统的静电理论不能很好的解决容性耦合等离子腔室中的电磁场的计算问题。本文利用全Maxwell方程对容性耦合等离子体腔室中的电磁场进行计算,研究容性耦合等离子体腔室中等离子体浓度以及驱动频率对腔室中电场的功率沉积均匀性的影响。传统的棱边单元法求解电磁场问题时,当激励频率较低时,会导致求解器发散或者出现伪解问题,这就是低频崩溃问题。为解决低频崩溃问题,本文引入拉格朗日乘子施加关于电场E的散度约束,给出基于E-λ插值的混合有限单元列式。采用E-λ插值混合有限单元法,解决了传统棱边单元的低频崩溃问题,拓展了容性耦合等离子体腔室电磁场计算的适用性。