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引线键合作为电子封装最传统和应用最广的封装工艺，占据了IC芯片封装总产量3/4以上的市场份额，常用Au-Al键合系统因脆性金属间化合物大量生长，易导致器件电性能退化键合点强度降低甚至焊点脱焊为了解决该问题，在键合系统中引入Al/Cu键合垫片做过渡层，使用Al-Al键合代替Au-Al键合，可以提高引线键合的可靠性，并降低封装成本本文以Al/Cu层状复合材料为研究对象，对其结构和电性能进行了制备工艺研究，结合真空退火处理分析了Al/Cu复合材料中金属间化合物的形成规律，利用冲压成型技术加工了尺寸为1mm×1mm的Al/Cu键合垫片，并通过Deform-3D软件对冲压过程进行了模拟采用电子束蒸发法制备Al/Cu复合材料，通过控制沉积速率和衬底温度可以得到导电性能接近于理论值的Al/Cu复合材料，沉积速率为0.4nm/s时可以得到颗粒尺寸均匀膜层致密的Al膜，且能保证Al/Cu复合材料有较低的电阻率，界面结合强度大于12.24MPa衬底温度较高时，由于原子间发生相互扩散在Al/Cu界面处形成了Cu9Al4和CuAl2，大大增加了复合材料的电阻率，在Al/Cu复合材料中加入300nm厚的Ti过渡层，没有过渡层的样品在200℃热处理就会形成Cu9Al4和CuAl2化合物，而加入Ti过渡层的样品直到400℃热处理才有少量化合物生成，表明Ti过渡层的加入可有效地抑制金属间化合物的形成，同时对电性能和界面结合性能均无不良影响利用Deform-3D软件对加工Al/Cu键合垫片的冲压过程进行了模拟，并利用冲压方法制备了尺寸为1mm×1mm的Al/Cu键合垫片，证实了利用冷冲压加工Al/Cu键合垫片的方法是可行的，垫片边缘区域所受应力最大，应变量也最大，冲裁间隙为0.013mm时垫片的整体变形量小，可作为实际冲压过程选择冲裁间隙的参考标准