SiF4气体中气体杂质和金属杂质的检测方法研究

被引量 : 1次 | 上传用户:dannananjing31306111
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
高纯四氟化硅气体,是制备硅烷、晶体硅、光纤等的重要原料。我国拥有丰富萤石资源和磷矿,SiF_4气体是其伴生产物,也是重要的氟资源。高性能的非晶态硅、单晶硅、多晶硅、光纤等对四氟化硅气体纯度要求非常高,至少达到99.99%以上,而高纯SiF_4气体的制备技术掌握在少数发达国家手中,如美国、日本、俄罗斯等。近年来我国对高纯度SiF_4气体的制备工艺的研究有了发展,某些公司提出的标准甚至高于国外,但国内对SiF_4气体的检测方法报道较少。论文以氟硅酸溶液和浓硫酸为原料,制备SiF_4气体,然后再分别利用气
其他文献
  集成电路制造工艺缩减到40nm以下之后,静态功耗问题已经极大地影响了集成电路的设计思想。本文详细论述了MOS管中的泄漏电流产生的原因以及静态随机存储器中静态功耗的产
六氢苯酐,英文简写HHPA,一般由四氢苯酐(THPA)催化加氢制备。六氢苯酐是制备聚酯类高档涂料不可缺少的原材料,用六氢苯酐代替芳香族多元酸生产的氨基醇酸漆、聚酯漆、聚氨酯漆、