量子点阵光栅的FIB直写法制备及光学性能研究

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X射线透射光栅在惯性约束核聚变激光等离子体诊断、空间X射线光谱分析、高分辨率光谱仪等方面具有重要应用价值。传统黑白光栅因衍射谱存在高级衍射而使其应用受到限制,制作出具有单级衍射特性的透射光栅是获得精确等离子体物理信息的关键。量子点阵光栅因具有单级衍射特征而受到广泛研究,其传统制备方法结合了电子束直写、X射线光刻复制以及电镀等工艺。在此工艺下,量子点阵光栅线密度目前能做到1000线/毫米。但是,传统制备工艺繁琐复杂,而且所制作的量子点阵光栅是以SiO2或聚酰亚胺薄膜作支撑,而这些支撑材料对X射线有较强的吸收,降低了衍射强度,对诊断数据的获得带来了较大的困难。  基于上述情况,本文采用聚焦离子束直写技术成功制作出单级衍射量子点阵光栅,工艺步骤大大简化。光栅线密度可达1000线/毫米,吸收体实现完全自支撑。光栅特征结构圆孔的占据位置以及圆孔大小符合设计要求,圆孔侧壁陡直度较高,对光栅衍射性能影响较小。  对所制作的量子点阵光栅进行了光学性能表征。实验结果表明:量子点阵光栅在可见光波段具有明显的单级衍射特征,±1级衍射点对称分布在0级衍射点的两边,高级衍射被有效抑制,具有优异的单级衍射性能。因此,利用量子点阵光栅来作为激光等离子体的诊断元件以及光谱仪中的色散元件,能排除高次谐波带来的干扰;同时,也可以以所制备的光栅作为掩膜版,利用X射线光刻与离子刻蚀或微电镀技术复制得到更多的单级衍射光栅,应用潜力巨大。  聚焦离子束直写技术在单级衍射光栅中的成功运用,有助于进一步探索该方法在其他微纳光学器件中的应用。
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