【摘 要】
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磁光盘存储技术的主要发展方向是提高存储密度和数据传输速率.磁光盘采用的存储介质为磁性薄膜,利用磁耦合性能可以人为地设计出适合于提高记录密度的多层薄膜磁光存储介质.
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磁光盘存储技术的主要发展方向是提高存储密度和数据传输速率.磁光盘采用的存储介质为磁性薄膜,利用磁耦合性能可以人为地设计出适合于提高记录密度的多层薄膜磁光存储介质.该文重点对中心孔磁超分辨(CAD-MSR)结构的交换耦合双层薄膜,静磁耦合多层薄膜的磁及磁光特性进行研究.另外,该文对应用于短波长磁光近场超分辨结构中的石榴石磁光记录薄膜和AgO<,x>掩膜的制备和性能也进行了研究.该文用溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo、GdFeCo/DyFeCo交换耦合两层薄膜,研究了薄膜的磁及磁光性能.用微磁理论分析了不同温度下GdFeCo/TbFeCo和GdFeCo/DyFeCo交换耦合两层薄膜磁化方向(φ<,z>)沿垂直于膜面Z轴的分布.该文对GdFeCo/AlN/TbFeCo、GdFeCo/AlN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜的性能进行了研究.该文采用柠檬酸络合物型溶胶-凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果表明石榴石磁光记录薄膜的克尔磁滞回线具有较好的矩形比.
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