碳化硅以其优良的材料特性在大功率、高温以及抗辐照等领域有着广阔的研究和商业前景。作为一种重要的功率器件，4H-SiC双极型晶体管弥补了Si双极型晶体管的缺陷且避免了4H-SiC MOSFET中的栅氧化层质量问题，在近年来受到了更多的关注。本文以4H-SiC BJT器件实验研究为目的，进行了以下工作：首先，通过文献查阅和比较选取了双层基区结构，利用仿真软件得到了最佳的外延层结构参数，以此为目标进行了多层外延材料的生长，对实际得到的外延结构进行仿真得到了共发射极电流增益120、击穿电压450V以及导通电阻5.4mΩ·cm²的电学特性，为之后器件的测试分析提供了支持；然后，针对4H-SiC BJT制作过程中的ICP刻蚀和P型欧姆接触两步关键工艺进行了单步实验研究。得到了优化的ICP刻蚀和P型欧姆接触工艺条件。其中，优化后的刻蚀系统参数实现的刻蚀速率为3.47nm/s，精度可控制在30nm之内；P型欧姆接触采用Ti/Al/Au多层金属，在掺杂浓度为4.610¹⁸cm^-3样片上得到的比接触电阻率为9.5510^-3Ω cm²。最后，进行了4H-SiC功率BJT的研制。实验前期准备包括版图的设计和器件工艺流程的制定，通过最终的流片及测试得到的器件性能为：共发射极电流增益为17、导通电阻为32mΩ·cm²、击穿电压为120V。其中，共发射极电流增益是目前国内最好结果。本文对4H-SiC功率BJT的设计及制造过程进行了深入的研究，对4H-SiC功率器件的研制有重要的参考价值。