Co基薄膜材料具有良好的磁性能、电性能,常被用于磁记录材料或用作微磁器件中。目前人们研究薄膜电感主要从两方面入手,一方面是设计薄膜电感器件的结构,另一方面是研究器件的磁芯材料。本文从研究磁芯材料角度出发,利用磁控溅射法在玻璃基片与n型单晶Si(400)基片上生长Co薄膜、CoTaZr合金薄膜与(Co/CoTaZr/Co)n多层膜。利用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌、利用X射线衍射(XRD)分析薄膜的结构、利用能谱分析仪(EDS)测定薄膜的组成成分、利用振动样品磁强计(VSM)测定薄膜磁性能、利用四探针法测量薄膜电性能。得到以下的主要结论：1.利用磁控溅射技术,在没有施加偏压的条件下,制备出“金字塔Ⅱ型”形貌的Co薄膜,并制备出具有“金字塔Ⅲ型”(四棱锥型)、多联体、“橄榄状”等特征形貌的Co薄膜：1)溅射气压与功率对薄膜的形貌有较大的影响。在盖玻片基体上,溅射时间为60mmin,溅射功率为96W的条件,1Pa时制备出等轴晶结构Co薄膜、2Pa时制备出“金字塔Ⅱ型”(正四面体)形貌薄膜、4Pa时制备出多联体形貌薄膜、6Pa时制备出“金字塔Ⅲ型”形貌薄膜。2)基体材质对Co薄膜“金字塔”形貌影响较大,在盖玻片基体上形成“金字塔Ⅲ”形貌的Co薄膜,且出现(1120)择优取向,n型单晶Si(400)制备出“橄榄状”形貌薄膜,具有(1010)择优取向。具有“橄榄状”形貌的薄膜软磁性能得到提高。3]溅射时间对Co薄膜表面形貌影响较大。当溅射时间小于60min时,无法制备出具有“金字塔”形貌的薄膜,且薄膜的电阻率随溅射时间的增加而减小。2.薄膜表面形貌与溅射功率、气压间的关系图与Thornton晶带模型接近。对于Co薄膜,溅射气压相同的条件下,随着功率的增加,Co薄膜由晶带1区或T区向晶带2区或3区转变,且薄膜的电阻率随功率的增加而减小；在溅射功率相同的条件下,随着气压的增加,Co薄膜由晶带3区向2区转变。3.溅射功率与气压对CoTaZr薄膜成分影响较小,薄膜成分基本稳定为Co78.5Ta12Zr9.5 (wt.%),与合金靶的名义成分略有差别。2Pa,96W时在盖玻片基体上制备出非晶十纳米晶结构薄膜,同时该条件下存在反溅射现象。在n型单晶Si(400)上采用2Pa,96W的工艺条件制备出CoTaZr纳米晶合金薄膜,其软磁性能优于具有“金字塔III型”形貌的Co膜。相同气压下,薄膜的电阻率随功率的增加而降低；相同功率下,薄膜的电阻率随气压的降低而降低。4.在理论上,提出CoTaZr合金薄膜的生长方式大致上符合Thornton晶带模型,但形貌与功率、气压关系图中不存在2区组织,仅存在Thornton晶带模型的1区、T区及3区组织,其中T区组织和3区组织的存在形式不同于Thornton晶带模型中的存在形式,此时的T区主要以非晶结构为主,3区主要以纳米晶结构为主。CoTaZr合金薄膜在溅射气压为2Pa时,随着功率的增加,薄膜由1区向T区,再向3区组织转变。在功率为96W时,随着气压的降低,薄膜由3区向T区或1区转变。5. (Co/CoTaZr/Co)n多层膜,具有非晶+纳米晶结构。(Co/CoTaZr/Co)n薄膜的电阻率高于单层膜,且n=2时薄膜电阻率高于n=1时。