采用真空热蒸发法在玻璃衬底制备纳米硫属锡化物薄膜（Sn_xS_y）薄膜。在空气、氮气气氛下对薄膜进行不同条件的热处理，获得性能良好的SnS、SnS₂、Sn₂S₃纳米多晶薄膜。经X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、分光光度计等方法对薄膜各种性能进行测试，并研究不同制备工艺、不同Sn与S配比的蒸发粉末对SnS、SnS₂和Sn₂S₃薄膜的物相结构、晶粒尺寸、表面形貌、光电特性的影响。实验结果显示：采用Sn∶S混合粉末比例为1∶0.8（at％）作为蒸发物制备出的薄膜，经过T=330℃，t=40min（氮气）热处理可获得正交晶系的P型SnS纳米多晶薄膜；薄膜沿（021）晶向择优生长结构性能良好，平均晶粒尺寸约为62.17nm。当Sn∶S比例为1∶1.2（at％）时，制备出的薄膜在氮气中经T=430℃，t=40min热处理后，可得到晶相结构良好的正交晶系N型Sn₂S₃纳米多晶薄膜；平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn∶S比例为1∶1.5（at％）时，在氮气中经T=430℃，t=40min热处理可获得六角晶系SnS₂纳米多晶薄膜；导电类型为N型，平均晶粒尺寸约77.07nm。扫描电镜分析给出，三种结构的薄膜表面均匀平整呈孔状结构，致密度较好，颗粒大小较均匀，颗粒聚集现象较弱。能谱分析给出SnS，SnS₂薄膜接近物质的化学计量比，Sn₂S₃薄膜偏离物质的化学计量比稍大。SnS薄膜在350-900nm范围内透射率非常低，由于反射很弱相应的吸收率很高，直接光学带隙为1.50eV；SnS₂薄膜呈现出选择吸收的特性，直接光学带隙2.02eV。Sn₂S₃薄膜的光透过率在波长为350nm-550nm范围内很低，其直接光学带隙为2.0eV。