【摘 要】
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近年来,钙钛矿材料由于其优越的光电特性使其在光电探测器、太阳能电池、发光二极管领域得到了普遍的应用。特别是其高的载流子迁移率和易于调节的禁带宽度,使得基于钙钛矿的
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近年来,钙钛矿材料由于其优越的光电特性使其在光电探测器、太阳能电池、发光二极管领域得到了普遍的应用。特别是其高的载流子迁移率和易于调节的禁带宽度,使得基于钙钛矿的很多高性能光电探测器被相继开发出来。从能源的角度来看,自驱动的光电探测器可应用于长时无人值守的环境监测和森林火灾预警等领域具有重要的应用前景,一直受到研究人员们的广泛关注。通过pn结,异质结以及肖特基结三种器件结构来实现自驱动的光电探测器。比较而言,pn结器件结构由于其可形成强的自建电场,从而获得高性能的自驱动光电探测器,而成为制备自驱动光电探测器的最主要结构。本课题中,我们参考了其发展现状,开展了如下工作。我们首先制备了MS结构的钙钛矿器件,并对样品做出了表征以及对其电学和光学特性进行了测试。然后我们制备了高质量的ZnO微米线,并且利用n型的ZnO微米线和p型的MAPb I3材料,通过简单的堆垛,构建MAPbI3/ZnO异质pn结自驱动光电探测器,并详细探究其光电性能和成像能力。具体研究工作如下:1.利用旋涂工艺在蓝宝石衬底底上生长MAPb I3钙钛矿薄膜,并通过现代材料表征手段来测试钙钛矿薄膜的光电特性。以该钙钛矿薄膜为光吸收层,制作了光导型的光电探测器,并表征其器件性能。2.利用气相沉积技术(CVD)制备ZnO微米线,利用现代材料表征手段测试ZnO微米线形貌及光电特性。3.利用单根ZnO微米线和MAPb I3薄膜,以简单的物理堆垛方式,构建MAPbI3/ZnO异质pn结光电探测器,并详细探究了其光电特性及其成像能力。
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