自旋电子学是上世纪九十年代以来飞速发展起来的新兴学科。基于自旋电子学的巨磁阻(GMR)效应自发现以来立即引起各国企业界及学术界的高度重视,具有重要的科学意义和很大的实用价值。自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点,主要应用在磁传感器、随机存储器和高密度读出磁头等方面。GMR传感器在自动化技术、家用电器、卫星定位、导航、汽车工业、医疗等方面都具有广阔的应用前景。　　 本文首先介绍了磁阻效应的发现、研究历程,并对含有巨磁阻效应的结构和材料进行简要的叙述,紧接着对巨磁阻效应的原理进行了论述,深入探讨了自旋阀多层膜中电子输运的特点以及巨磁阻结构在外加磁场下电阻变化的原理。进行了自旋阀巨磁阻位移传感器的结构设计,利用L-edit设计了光刻掩膜版的版图,制备了掩膜版;通过三次光刻技术、物理刻蚀以及薄膜沉积制备由GMR薄膜电阻和金属薄膜电阻构成的惠斯登桥路(芯片);研究了刻蚀实验中多个工艺参数对GMR薄膜电阻的影响,得到最佳刻蚀条件。经过Ⅰ-Ⅴ测试电阻大小及桥路平衡之后进行封装,通过测试GMR位移传感器芯片得到磁场与位移之间的输入-输出关系。