780 nm激光对应碱金属铷原子的D2线,在冷原子物理,量子光学等前沿科学领域都有着广泛的应用。目前,780 nm波段半导体激光器已经商业化,但无法利用半导体激光直接获得频率稳定,脉冲重复率和脉宽均可调,且峰值功率较高的780 nm的短脉冲激光。我们可以利用种子光源注入的办法,将光通讯波段1560 nm激光光源,经商用高速集成波导型振幅调制器斩为方波短脉冲后,注入掺铒光纤放大器(EDFA)中放大,通过倍频产生780nm的可控脉冲激光。利用1560 nm分布反馈式半导体激光器(DFB)作为种子源注入掺铒光纤放大器获得的1560 nm单频激光,单次穿过准位相匹配的周期极化晶体进行倍频,产生稳定的780 nm激光。主要工作如下：(1)简要介绍整个系统的实验研究背景和倍频过程的理论分析。讨论了影响二次谐波功率的重要因素-相位匹配,重点讲述了与本实验相关的准相位匹配技术。(2)研究了PPLN晶体的倍频特性。实验中采用多周期的PPLN晶体产生780nm的倍频光,当1.37W的1560nm基频光注入时,可以得到25.2mW的780nm倍频光,对应倍频效率～1.84%,非线性转化效率～1.37%／W.(3)研究了PPKTP晶体的倍频特性。实验中采用单周期的PPKTP晶体产生780nm的倍频光。当1.37W的基频光注入时,得到15mW的780nm倍频光,对应倍频效率为～1.16%,非线性转化效率～0.84%／W。(4)我们将1560 nm DFB激光器经EDFA放大及经PPLN晶体倍频后锁定于铷原子的吸收线上,激光器自由运转30s内频率漂移为52MHz,锁定后30s剩余漂移为±3.5MHz。