本论文主要针对GaAs基材料欧姆接触的形成原理、工艺制备及测量方法进行了研究。在对论文题目的研究背景、果内外发展状况进行简单介绍的基础上,阐述了Ⅲ-Ⅴ族材料及砷化物材料的性质以及欧姆接触的相关理论。从理论与工艺制备两方面分别分析了对欧姆接触性能好坏的影响因素,并同时针对n-GaAs和p-GaAs进行了欧姆接触的工艺优化及分析。对n-GaAs采用了Ni/AuGe/Ni/Au=5/100/35/300nm的金属化结构,对p-GaAs采用了Ti/Pt/Au=30/50/150nm的金属化结构。论文详细讨论了快速热退火工艺对欧姆接触的影响,通过矩形传输线模型法对不同条件下的实验样品进行了测量并通过计算得到比接触电阻率值。首先对测量值与实际值间的误差进行了分析,利用测量结果绘制成的曲线分析了快速热退火对GaAs材料欧姆接触的电学特性和物理化学变化过程。然后利用扫描电镜测量了不同条件下合金后表面的形态变化,并针对其变化进行了细致的分析。采用优化后的工艺参数制备了波长为808nm的半导体激光器器件,器件的串联电阻为0.12Ω,在最大工作电流为4A的情况下,输出功率为3W。本论文的研究为降低GaAs基半导体激光器的串联电阻和提高器件的输出功率提供了理论基础和实验依据,并对其它GaAs基半导体器件的制备提供了重要的参考作用。