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SiCN作为一种新型的第三代宽带隙半导体材料,以其较高的硬度、低摩擦系数、高温抗氧化性、良好的发光及场发射特性等物理化学特性,在微机械系统、光电子器件、平板显示器等诸多方面有很好的应用前景,引起人们越来越多的关注。本论文采用双离子束溅射沉积系统在Si (100)和石英基片上在不同的工作参数下成功的制备了SiCN薄膜,通过改变辅源工作气体中N_2比例和辅源离子能量大小来改变工作参数,研究了工作参数对SiCN薄膜结构、力学和光学性质的影响。实验中主离子源发射Ar~+轰击高纯SiC靶,辅离子源