市场对器件低功耗,小体积,功能集成化的需求越来越高,使得功率器件与集成电路结合形成的功率集成电路的迅速发展成为一种必然。横向双扩散MOSFET (LDMOS:Lateral Double-difiusion Metal Oxide Semiconductor)作为功率器件中低功耗且最易与集成电路工艺结合的器件,有着越来越广泛的应用与良好的市场前景。本文讨论了在0.18um标准CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺平台上开发的高压集成电路工艺的工艺流程,分析了此高压集成电路工艺中LDMOS的栅氧化层完整性(GOI:Gate Oxide Integrity)及LDMOS与其他MOS器件之间的隔离问题。具体内容为：A：研究了LDMOS与低压CMOS集成所面临的工艺调整问题,通过尽可能少的改动使集成在同一芯片上的LDMOS与低压CMOS器件的性能都令人满意。B：用快速热氧化的方法解决了LDMOS的栅极上存在多晶硅孔洞的问题,用两次衬垫氧化层(Liner Oxide)工艺及两次氢氟酸浸蘸(HF Dip)工艺消除了STI (Shallow Trench Isolation)倒角对LDMOS栅氧化层厚度的影响。这两个问题的解决大大提高了LDMOS的抗击穿特性。C：采用了局部离子注入的方法改善同型同阱区LDMOS之间以及不同阱区LDPMOS之间的隔离；采用深N阱工艺改善不同阱区LDNMOS之间的隔离；采用了倒转阱和提高阱区pick-up下方的掺杂浓度的工艺及增加Guard Ring结构的版图级措施改善了异型LDMOS之间的隔离；采用HVNW保护低压区域的方式改善了LDMOS与中低压MOS器件之间的隔离。