MEMS最独特的特点之一是可以将传感器、执行器和处理电路与控制电路同时集成在同一块芯片上--单片集成，即应用整片衬底的加工流程，将不同的部件集成在单片衬底上。新型压力传感器的研制目前不断引现新技术、新方法，尤其随着微加工技术和集成电路技术的发展，CMOS电容集成传感技术正成为研究热点。根据目前CMOS MEMS工艺技术现状，通过MEMS后处理中关键工艺的研究，本文提出了一种基于Post-CMOS体硅微机械加工技术方案，通过设计典型单片集成式电容压力传感器与梳齿静电执行器，流水加工，验证工艺的可实现性。　　 电容式压力传感器的敏感膜采用硅体硅腐蚀工艺制作，硅片正面RIE形成几微米深的凹槽作为上下极板的间隙，传感器的另一个电极制作在厚支撑的玻璃上，硅/玻璃通过阳极键合形成传感器的空腔，硅片背面减薄达到所需厚度，最后进行ICP释放结构。　　 采用薄板的小挠度理论模型和ANSYS有限元分析软件对电容式压力传感器的敏感膜弹性进行了力学分析，文中分析了45μm、50μm、55μm以及60μm四种不同厚度的敏感膜，通过对比可知小挠度理论模型与ANSYS有限元分析压力-挠度曲线非常接近，两种分析所得最大应力远小于硅膜的屈服强度。利用解析公式对敏感电容进行计算，并分析了电容大小的变化同结构尺寸之间的关系，讨论了边缘电场效应对传感器电容的影响，定性分析了传感器的灵敏度与线性度。　　 为了实现课题目标--通过MEMS后处理中关键工艺的研究，设计并制作MEMS典型器件，验证所提出的集成方案的可实现性。在研究电容式压力传感器的同时，介绍了典型的梳齿静电执行器的工作原理并设计了简单的结构，给出了两种器件的版图设计与工艺流程。后处理工艺主要包括：体硅腐蚀、金属溅射和硅/玻璃阳极键合。文中给出了流片加工结果，器件结构的释放基本令人满意，验证了本课题中所提方案的可实现性。对电容式传感器与执行器进行了测试分析，并提出了一些改进措施。　　 本文最后总结了整个课题的主要工作，同时提出了工作中存在的一些问题和需要进一步深入研究的工作。