随着科技的进步和信息存储的发展,对功能器件的低成本、高效率和低功耗的要求也越来越高。传统的用作信息处理和传递的材料均集中在金属磁性材料,但是金属材料在进行信息处理的过程中不可避免的会产生焦耳热,这将增大了器件的功耗并使得器件的寿命降低。因此,寻找一种可以降低器件功耗和提高工作效率的材料是至关重要的。微波铁氧体由于其高电阻率、低的涡流损耗等优异性能而引起科研工作者的广泛研究兴趣,并被广泛用于高频和自旋电子学等领域。本论文以尖晶石锂铁氧体（LiFe₅O₈）薄膜为研究对象,系统地研究了其磁性、电场调控磁性能以及自旋输运性质。取得的主要结论如下:1、采用激光脉冲沉积（PLD）技术,在（001）取向的单晶MgO衬底上通过改变薄膜的生长温度成功外延生长出高质量的LiFe₅O₈薄膜。通过高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）、振动样品磁强计（VSM）和铁磁共振（FMR）等仪器分别对不同温度下生长的LiFe₅O₈薄膜的晶体结构、表面形貌、静态和动态磁性进行了详细的表征。实验结果表明:控制LiFe₅O₈薄膜的生长温度在对其晶体结构产生影响的同时也会对其磁性能进行显著的调控。2、采用PLD技术,在单晶压电Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3O₃（PMN-PT）衬底上成功外延生长出高质量的LiFe₅O₈薄膜。系统研究了LiFe₅O₈/Pt异质结中的自旋输运性质。实验中我们测量并发现磁电阻曲线的角度依赖关系与自旋霍尔磁电阻（SMR）有关,并且磁近邻效应在该体系中是可以忽略不计的。随后在10 K-300 K的温度范围内系统地研究了温度对LiFe₅O₈/Pt异质结中SMR的影响,当温度从10 K增加到300 K时,SMR的变化值从1.1×10^-4增加到1.8×10^-4。以上结果表明:在LiFe₅O₈/Pt界面也可以观察到自旋回流,该实验结论对于未来自旋电子学器件中磁性绝缘体的选取提供了更多的选择。3、在LiFe₅O₈/PMN-PT异质结构中,通过铁磁共振测试实现了外电场对薄膜磁性的非易失性调控,其正负剩余极化状态下的铁磁共振场差值高达250 Oe。通过倒易空间映射技术系统地分析了不同电场下LiFe₅O₈/PMN-PT异质结的微观结构,该测试结果与FMR测试结果相一致。研究结果表明:将电场应用于LiFe₅O₈/PMN-PT异质结构是调控LiFe₅O₈薄膜磁性能的有效方法,并使其成为可调谐微波天线和滤波器中高频和高温应用的候选者。