ZnO低维纳米材料的制备研究

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【摘要】

：

氧化锌是一种宽带隙(其禁带宽度为3.37eV)的激子束缚能高达60meV的半导体材料。由于氧化锌材料在压电、光电、气敏等诸多方面有着非常卓越的性能,所以在电子器件、传感器等领域有着非常广泛的应用。本文主要研究了ZnO低维纳米材料的制备方法并对其性能进行了研究,包括ZnO薄膜和ZnO纳米线/棒的制备,以及在传统制备ZnO低维纳米线的基础上,引入超声驻波场,使得其在驻波波节处进行生长,通过控制驻波波节

【作者】

：

丁尧

【机构】

：

北京化工大学

【发表日期】

：

2014年01期

【关键词】

：

ZnO薄膜 ZnO纳米线超声驻波电化学沉积光学性能

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