模板—直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料及光学性能研究

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低维材料(纳米点和纳米线)的量子效应,使得它的力学、热力学、电磁学及光学性能发生改变并具有奇特的物理和化学性质,它在微电子、纳电子、量子信息存储、量子光电器件等方面具有广阔的应用前景。本文介绍了纳米孔氧化铝阵列模板(以下简称AAO模板)的制备、结构和光学性质的研究;用模板一电化学沉积的方法研制ZnSe纳米线阵列及对纳米线阵列进行测试和表征。 1、用电化学二次阳极氧化方法结合扫描探针显微镜(SPM)观察,分析并研究了阳极氧化过程中电解液种类、电解液浓度、电解液温度、阳极氧化电压、阳极氧化时间、去膜时间等实验参数与AAO膜板孔径大小、密度、深度和膜孔的有序行的关系.研究结果表明,高压、低温、低浓度的二次阳极化工艺条件有利于形成高质量的AAO膜板,为优化实验参数并制备出孔径尺寸和深度可控、孔径排列有序的.AAO模板提供了依据; 2、用X射线衍射仪分析了AAO模板氧化膜的晶像结构和成分,确定了所制备的AAO膜板是非晶态的,主要成分是三氧化二铝。用红外光谱仪对AAO模板的中红外-可见光透射透性曲线和光致发光特性曲线测试分析,AAO模板本身在整个可见光和在2.5~5.26um这一波段范围的透射性很好,非常有利于用AAO模板研制半导体/AA0、金属/AAO等组装体系的光吸收特性,为研究以AAO作模板研制ZnSe纳米线阵列及研究其光学性质奠定了基础; 3、以亚硒酸和硫酸锌为电解液,用AAO模板一电化学沉积方法制备ZnSe纳米线阵列/AAO复合物,然后溶掉AAO模板,得到用ZnSe纳米线。SPM,XPS,ACP-AES等分析方法对ZnSe纳米线阵列/AAO复合物和ZnSe纳米线的形貌,组成和结构进行表征,结果表明ZnSe纳米线阵列/AAO复合物中含有ZnSe纳米线,AAO模板中具有相同的直径,垂直排列,高密度,有序的纳米线阵列; 4、通过红外光谱仪和红外测角仪测试,得出ZnSe纳米线阵列的红外透射特性曲线和折射率随波长变化的关系:ZnSe纳米线阵列对波长为0.6~18.00um光的折射率高,透射性能好,并基本覆盖了可见一红外波段,是研制光电和红外平面光电探测器的理想材料之一; 5、通过以上研究,得到制备AAO模板的优化实验参数;制备出孔径尺寸、孔深、可控、孔径排列高度有序的高质量的多孔氧化铝阵列模板;首次用AAO模板-电化学沉积法成功制备出有序的ZnSe纳米线阵列。
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