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AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐高压器件、高温器件和紫外光电器件等领域得到了非常广泛的应用。虽然MOCVD方法是生长高质量AlN薄膜的主流技术,但其生长动力学机理与生长模型等理论研究远落后生长实验研究。基于Grove理论和KMC方法,本文进行了MOCVD生长AlN薄膜的动力学模型建立与模拟研究,并将模型模拟结果与实验数值进行了对比,模型对于实际工艺生长具有指导意义。基于MOCVD技术生长AlN薄膜的生长工艺、生长特性和生长动力