本课题主要对复合电沉积的机理进行了研究,特别是第二相粒子的引入对晶粒成核和生长机理的影响。应用扫描电镜,X-射线衍射,对SiC粉体的形貌、结构进行分析,借助精密pH计就SiC粉体在镀液中吸附特性进行了检测。在此基础上,利用CHI660C电化学工作站对纯镍体系、Ni-SiC复合体系和加入促进剂的复合体系电沉积过程进行了循环伏安、计时安培和交流阻抗谱测试。论文还就三类镀层在3.5%NaC1和3.5%NaCl+0.3%H₂O₂腐蚀体系中的电化学行为采用极化曲线、交流阻抗等电化学手段进行了监测分析。试验结果表明,SiC粉体呈不规则多边形,平均粒径约7μm,其晶型主要为6H即六方结构。SiC颗粒加入到Watts镀液中,将会吸附镀液中H⁺离子而使表面荷正电,在镀液pH为3.70左右,其吸附量最大。恒电位阶跃分析表明,复合沉积镍电结晶形核经历两相继过程,第一过程沉积伊始形核遵循BFT模型连续成核机制,而后随电位负移过渡到BFT瞬时成核机制,第二过程随电位负移先后吻合BFT瞬时成核或SH瞬时成核理论曲线;无论Ni-SiC复合镀层还是纯Ni镀层,形核弛豫时间t_m随负电位的增大,呈现规律性递减趋势,相应的L_m值基本相近;SiC粉体的引入导致Ni形核过电位正移和t_m的显著减小。交流阻抗表明,非法拉第电位区,SiC粉体的表面吸附（或附着）改变了电极表面的荷电状态,打破了内Helmholtz面大分子和水化离子对电极的屏蔽,大幅降低了复合体系的电荷传输电阻。而在临近及此后沉积电位区,纯镍表面双电层被击穿,复合体系SiC增大导纳的优势不复存在,表现为与纯镍体系阻抗相当。三类镀层在两种体系中呈现了不同的腐蚀规律,在3.5%NaCl体系中,纯镍镀层的耐腐蚀能力强于复合镀层;而在强氧化性介质中腐蚀规律发生了很大的变化,复合镀层的耐蚀性又高于纯镍镀层。SiC粉体在镀层中引入的大量的错综复杂的网状结构,造成表界面的电荷转移电阻R_t和蚀孔电阻R_L大幅增加,有效分散了腐蚀极化电流,阻碍了腐蚀的发生和发展。