量子点是指物理尺寸小于其玻尔激发半径的半导体纳米晶粒。一般由第Ⅱ/Ⅵ主族或第Ⅲ/Ⅴ主族元素组成。当材料的尺寸小于其相应玻尔激发半径时(一般在1~5nm),就会产生量子限域效应,使得量子点具有很多独特的性质,包括:窄发射(半峰宽一般在20~30nm);宽激发;量子产率高;摩尔消光系数大(比有机染料高1~2个数量级);抗光漂白和化学降解;从紫外到近红区(700~900nm)有连续的吸收;荧光寿命长(大于10ns);斯托克斯位移大。因此,量子点在生物、材料、能源等各个领域具有广泛的应用。本论文对量子点的合成与修饰进行了相关研究,具体包括:(1)量子点合成建立了量子点合成的标准化、可控程序。合成发射波长介于520nm~590nm量子点;所合成的量子点半峰宽小,量子产率高。通过透射电镜、X-射线能谱、荧光、紫外对量子点粒径、元素种类、发射峰、紫外吸收、量子产率、量子点浓度等进行了表征。对于实验过程中影响量子点合成的各种因素进行了系统研究。(2)量子点包裹分别考察了一锅法、两步法对于量子点核的包裹。对于包裹前后量子点的微观结构,光谱学性质的变化进行了表征。对于影响包裹的各种因素,进行了系统的考察。(3)采用聚合物(MePEG-PLA)对量子点进行修饰对于包裹后量子点的荧光性质进行了表征;稳定性、粒径也进行了初步的研究;通过实验数据估计了包封率。对于影响包裹物稳定性的因素进行了探讨。(4)小分子对于量子点的修饰通过二硫苏糖醇(DTT)对于量子点进行修饰。使油溶性量子点转化为水溶性量子点,并用羰基二咪唑(CDI)对修饰物进行进一步反应,利于以后的偶联。