GaAs光电导探测器是近年来发展起来的一种新型亚纳秒，脉冲辐射探测器。这种探测器具有时间响应快，输出电流大，对多种粒子如中子、带电粒子、X射线、γ射线、可见光都具有高灵敏度，而且响应的线性性好，可在室温工作等特点。可广泛用于高速光电开关，惯性约束核聚变、同步辐射、脉冲粒子流、核武器和武器效应模拟装置的辐射诊断以及亚纳秒技术的各个领域。因此研究这种探测器，具有重要的现实意义。 我们采用不掺杂的高纯度的砷化镓作为我们光电导探测器的材料，研制出了具有微带结构的GaAs光电导探测器，并经过深入仔细的研究，摸索出了一套制作GaAs光电导探测器的有效工艺方法。为了使探测器的性能得到进一步的提高，我们对其进行了电子辐照改性，并测量了本征砷化镓探测器和经过1.7MeV电子辐照的探测器的暗电流、光电流及对X射线的脉冲响应，并对其响应时间，后沿下降时间，半高宽(FWHM)，载流子寿命，灵敏度进行对比，研究，结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了改善，使响应速度，分辩率进一步提高，并消除了探测器输出信号后沿的非线性，虽灵敏度有所降低，反而使其测量范围得以拓宽。 目前，我们研制的GaAs探测器已具有一定的实用价值，可用在室温下对X射线、γ射线、激光脉冲进行探测。我们的研究工作为开发砷化镓单晶体的应用奠定了良好的基础，对国内半导体探测器技术的发展具有重大意义。