单层WS2类石墨烯结构的第一性原理研究

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【摘要】

：

本文借助于Materials Studio计算模拟软件中的CASTEP模块,研究了3d过渡金属(TM=Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn)掺杂单层WS2的电子结构和磁学性质、4d过渡金属(TM=Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Cd)掺杂单层WS2的能带结构、电子态密度、光学性质以及氢的不同修饰方式对扶手椅型WS2纳米带电磁特性的影响,所得结论如下:(1)过渡金属原子(TM=Ti、V、C

【作者】

：

陈得林

【机构】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2014年11期

【关键词】

：

第一性原理单层WS2 掺杂 H修饰纳米带

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