Si纳米线具有优异的物理性能,与现在的集成电路制备工艺相兼容,有广阔的发展前景,受到人们极大关注。纳米结构的可控生长是研究其物理性能和制备器件的基础和关键。本文主要分为以下几部分:　　 第一,研究了环境压强对Si纳米线生长方向的影响。通过热蒸发SiO粉末的方法,在多个环境压强下得到了Si纳米线,并利用透射电子显微技术,对其生长方向进行了表征。高环境压强下得到的Si纳米线生长方向主要沿<110>跟<112>方向,而在环境压强很低时<111>取向的硅纳米线开始出现,随着环境压强的降低,<111>方向出现的几率变大。这给Si纳米线的取向可控生长又提供了一个有效的方法。　　 第二,利用超薄切片法制备了不同生长方向的硅纳米线的截面样品,并利用TEM等手段进行了表征。<110>生长方向的纳米线的横截面是由4个{111}面和2个{100}面围成的六边形;<100>生长方向的纳米线的横截面是由4个{001}面围成的类正方形;<112>生长方向的纳米线的横截面是由4个{113}面和2个{111}面围成的六边形;<111>生长方向的纳米线的横截面是6个{112}面围成的六边形。这个规律的发现对于与纳米线的结构和表面有关的性能研究提供了支持。　　 第三,利用热蒸发方法得到了SiC和SiOx外延纳米线。外延SiC纳米线与Si衬底之间存在一层由很多小孪晶构成的SiC多晶膜,SiC纳米线是从这个多晶膜中的某些晶粒外延生长得到。外延SiOx纳米线的顶端有含Fe颗粒,推测它以VLS机制生长。低蒸发速率、高生长温度以及低生长速率有利于纳米线的外延生长。