信息技术的飞速发展要求存储器必须具有存储密度高、速度快、不挥发和能耗低等特点。目前的主流存储技术Flash以其读写速度慢、擦写次数相对较少和制备工艺瓶颈的局限不再适合未来存储技术的发展要求。基于硫系化合物的相变存储器（Phase-change RandomAccess Memory,简称PRAM）具有不挥发性、循环寿命长(大于10¹²次)、功耗低、读写速度快、抗辐射以及和现有的CMOS工艺兼容等优点,成为当前存储器领域的研发热点。尽管相变存储技术在近几年取得了飞速发展,但是器件Reset电流过大一直是阻碍其商业化的主要问题之一。当前解决Reset电流过大的研究主要集中在两个方面:一方面是缩小存储单元的尺寸,减小相变区域相变部分的体积,由此我们引入纳米技术,研究制备出适合PRAM的相变纳米材料,可以减小器件储存单元的几何尺寸,从而实现PRAM的高密度储存;另一方面是开发新型相变存储材料,优化材料性能。本文从制备适合PRAM的相变纳米材料方面着手,采用水热法制备出Sb₂S₃和Sb₂Se₃纳米棒;在开发新型相变存储材料方面,制备出Ge-Bi-Te（GBT）系列块体材料。主要研究内容与结果如下:（1）以SbCl₃和Na₂S₂O₃为反应物,用水热合成法成功的制备了直径约100-500nm,长为几十微米的单晶纳米棒。通过EDS、SEM、XRD和TEM对产物的成份、形貌和结构分析显示纳米棒是Sb₂S₃化合物,属正交晶系,晶体沿[001]方向生长,在此基础上对纳米棒的形成机理和相关性能进行了研究。（2）以SbCl₃和Na₂Se₂O₃为反应物,以氨水为溶液的PH值调节剂,聚乙烯醇为表面活化剂,采用水热合成法成功的制备了直径约200nm,长为几十微米整齐均一的纳米棒,样品的XRD分析显示,纳米棒为正交晶系的Sb₂Se₃晶体。此外就反应温度、时间和溶液PH值等对纳米棒形貌的影响进行了分析,并对产物的形成机理和相关性能做了初步的探究。（3）采用固相反应法合成了Ge-Bi-Te系列块体材料。对所合成的Ge-Bi-Te系列块体材料分别使用XRD、TEM和DSC进行了成份和形貌分析,并对其相变的性能特性进行了探讨。