本文采用提拉法生长了没有宏观缺陷、光学均匀性较好的系列铟锰铁铌酸锂晶体。利用晶体的红外透射光谱和紫外-可见吸收光谱分析了杂质In3+在掺杂LiNbO3晶体中的掺杂阈值浓度及其占位情况，并提出了In3+在晶体中的占位模型。用光斑畸变法测定了In：Mn：Fe：LiNbO3晶体的抗光损伤性能。采用二波耦合光路，使用输出功率30mW的He-Ne激光器进行单光子写入与擦除试验。结果表明In3+的掺入可以提高擦除时间与响应时间之比。以He-Ne激光作记录光，高压汞灯紫外光作开关光，In：Mn：Fe：LiNbO3晶体中一种杂质(Fe)充当较浅能级，另一种杂质(Mn)充当较深能级，以Mn：Fe：LiNbO3和In(1mol﹪)Mn：Fe：LiNbO3晶体作为存储介质实现了非挥发性存储。