本文立足于自旋电子学科学前沿，选用钙钛矿锰氧化物中具有最高居里温度(理论值大于370K)，有望实现室温器件的La0.7Sr0.3MnO3作为主要研究对像，首次采用与微电子技术相容的磁控溅射方法，制备出具有较好整流特性的LSMO基p-n结。该研究为新型功能锰氧化物基p-n结从基础研究转向实际应用开拓了新的方向。 文章首先从选用研究较为成熟的单晶Nb-SrTiO3衬底入手，采用磁控溅射方法成功制备出高质量的LSMO/Nb-SrTiO3p-n结。研究结果表明其整流特性在40-320K较宽温度范围内几乎不依赖于温度发生变化，并同时发现锰氧化物本身的电磁学性能可以通过在p-n结界面处施加电场得到有效的调控。该研究探索了LSMO薄膜的最佳制备工艺条件，并同时深化了对锰氧化物基p-n结的理论认知。为了实现锰氧化物与传统半导体Si的集成。在以上工作基础上，利用单层SMO缓冲层实现了Si(001)衬底上具有[110]择优取向LSMO薄膜的成功制备。以此为基础，制备出具有较好整流特性的LSMO/SMO/Sip-i-n结与LSMO/Sip-n结，并对其电学性能进行了较为深入的研究。分别探讨了SMO绝缘层厚度与氧含量对其整流电学性能的影响。