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W-Cu复合材料是由高熔点、高硬度的钨和高导电、导热率的铜所构成的假合金。因其具有良好的耐电弧侵蚀性、抗熔焊性和高强度、高硬度等优点，目前被广泛地用作电触头材料，电阻焊、电火花加工和等离子电极材料，电热合金和高密度合金，特殊用途的车工材料(如火箭喷嘴、飞机喉衬)，以及计算机中央处理系统、大规模集成电路的引线框架，固态微波管等电子器件的热沉基片。随着科学技术的发展，实际应用对W-Cu复合材料性能的要求越来越高。钨与铜的互不相溶性决定了W-Cu复合材料制备的特殊性。由纳米W-Cu复合粉末制备的W-Cu复合材料具有非常高的致密度(可达到近乎全致密)和高的导热、导电性能，具有用传统常规方法制备的W-Cu复合材料所无法比拟的优点。本论文以W-15wtCu复合材料的制备为例，用具有良好工业化前景的高能球磨法制备出了纳米W-Cu复合粉体，然后采用该粉体用热压-液相方式烧结出了高性能的超细晶粒纳米W-Cu块体复合材料。本论文较为详细地研究了用高能球磨法制备的纳米W-Cu复合粉体，并对所制备的纳米W-Cu复合粉末的形貌、相结构等进行了表征。重点研究了球磨时间、球磨介质等工艺因素对W-Cu复合粉的影响。试验通过扫描电镜观察到纳米W-Cu复合粉体中钨、铜颗粒呈均匀弥散分布，钨颗粒有部分团聚，铜颗粒的平均粒度减小至0.3um；通过X射线衍射发现部分铜固溶于钨中形成钨(铜)固溶体，用计算得知复合粉中钨和铜的平均晶粒尺寸分别减小至39.7nm和31.5nm。同时，本论文详细地研究了纳米W-Cu复合材料的制备工艺与合金致密度之间的关系。重点讨论了球磨时间，烧结温度，烧结压力，保温时间，润滑剂，杂质等工艺因素对纳米W-Cu块体复合材料致密度的影响，并简单分析了其影响的机理。传统的W-Cu复合粉体采用“混合粉体—冷压制坯—液相烧结”很难得到高密度的W-Cu复合材料，本论文成功地采用“机械球磨复合粉—冷压制坯—热压烧结”将纳米W-Cu复合粉体烧结成超细晶粒W-Cu复合材料。在最佳工艺参数条件下制备得到了接近全致密的纳米W-Cu复合材料，其致密度高达16.273g／cm~3，其钨晶粒平均尺寸在1um左右。本研究为实现高性能纳米W-Cu复合材料的产业化和工业应用提供了一定的试验基础和依据。