ZnO纳米带/线作为一种重要的准一维半导体材料，在光电，压电，传感以及透明电子等方面有广泛的应用前景。ZnO纳米场效应晶体管作为实现上述诸多应用的一种重要形式，具有极为特殊的研究价值。本文通过机械探针工艺，制备了背栅极顶接触ZnO纳米带/线场效应晶体管，围绕着晶体管的阈值电压和迁移率两个基本参数，开展了如下研究：1. ZnO纳米带场效应晶体管的阈值电压稳定性。利用ZnO纳米带较薄的厚度和单晶属性，从实验上验证了界面束缚电荷的存在，结合半导体沟道内较低的缺陷密度，器件阈值电压偏移后较长的恢复时间及偏压曲线，证明了束缚电荷的积累是由沟道载流子，在正栅压作用下，向SiO2绝缘层漂移造成的。此外，通过聚苯乙烯替代SiO2作为栅极绝缘层，有效避免了这种由正栅极电压引起的阈值电压不稳定性。2. ZnO纳米带和纳米线晶体管的迁移率分布差异来源。通过有限元数值计算证明了ZnO纳米带和纳米线晶体管平均迁移率的较大差异是由于平板电容(PPC)模型和平板上的金属圆柱体(MCIMP)模型对器件栅极电容的计算偏差。前者低估了纳米带栅极电容，相反地，后者高估了纳米线的栅极电容。这两个方面的相反的偏差使得ZnO纳米带的平均迁移率高出ZnO纳米线3倍。通过有限元方法的修正，纳米带和纳米线晶体管的场效应迁移率分别为101和84cm2V-1s-1。这一结果表明两种器件截面并未对晶体管迁移率造成重大的影响。3. ZnO纳米带场效应迁移率的各向异性。利用生长方向分别为[0110]和[044n]（n=2~5）晶向，而带面皆为（2110）晶面的两类ZnO纳米带，制备场效应晶体管，统计发现两者平均电导率接近，但平均场效应迁移率却存在差异，分别为101和68cm2V-1s-1。这一差异的原因可能来自两个方面，一是因为纳米带（2110）晶面的表面振动态，产生的表面附加振动模式，增强了沿着[044n]晶向的压电电场和散射几率。另一方面，由于Zn原子排布的各向异性，使得沿着[044n]晶向较[0110]晶向的电子有效质量大，在晶体表面，由于单位距离的散射几率比体内大，增大了这两个方向的有效质量差异。