薄膜体声波谐振器(FBAR)技术在无线通信射频（RF）前端滤波器应用中发挥着重要的作用，随着移动终端设备的尺寸不断缩小、功能更加复杂以及功耗不断减小，固体装配型(SMR)FBAR器件由于较高的机械强度和可靠性、与集成电路工艺兼容性这些优点，已成为RF前端滤波器最佳的发展方向之一。本文进行了关于高频SMR-FBAR器件的研究，取得创新成果如下：　　1.以氧化锌（ZnO）薄膜为压电层，通过在ZnO中掺杂一定含量的镁（Mg）原子，得出了三元合金材料MgxZn1-xO是一种新型压电材料的结论，并且通过理论和试验证明该材料在声波速度和电阻率有一定的提升，拥有优秀的RF特性以及应用于高频单片微波集成电路(MMIC)的潜力。　　2.利用磁控溅射技术制备了纳米级沿c轴择优取向的压电薄膜。通过研究溅射工艺参数对压电薄膜沿c轴生长和表面粗糙度的影响，得到了MgxZn1-xO薄膜最佳的溅射工艺参数，并在不同厚度的金属电极上制备了沿c轴择优取向和满足器件需求的压电薄膜，并掌握了薄膜的优化工艺。　　3.通过磁控溅射工艺和微加工工艺制备了频率在2.4GHz处的SMR器件，并测得有效机电耦合系数为4.081%，并联谐振品质因数与串联谐振品质因数分别为638和604。　　4.制备了厚度为342.7纳米的MgxZn1-xO薄膜，并在此基础上制备了X波段的SMR器件，测得反射系数达到了-4.4dB，对超高频器件有了初步的探索。　　通过本文课题的研究，在纳米压电薄膜和高频SMR器件制备取得了一定的进展。随着无线通信频谱拥挤程度不断提高，基于纳米级和新型压电薄膜的高频SMR-FBAR器件可立体集成在硅工艺上，具有较大的发展潜力。