该论文选择高纯度铜单晶,经循环疲劳以后进行高密度脉冲电流处理,研究脉冲电流处理对疲劳铜单晶位错结构的影响.对典型单滑移取向的[123]铜单晶体,经恒塑性应变幅控制的循环疲劳后,形成PSB梯状结构.用高密度脉冲电流处理以后发现PSB平均宽度减小,并有局部消失的现象.讨论了脉冲电流处理下促进位错运动的因素:热压应力、电磁收缩效应、电子风力和温度效应.阻碍位错运动的因素来自于PSB的循环流变应力和林位错作用力.二者相互比较,指出脉冲电流作用下使位错运动的主要因素是热压应力.分析表明,高密度脉冲电流处理使PSB中位错运动而导致位错湮灭,从而使PSB平均宽度减小,并局部消失.该文还讨论了在高密度脉冲电流处理影响疲劳铜单晶中位错结构的微观机制.脉冲电流对疲劳铜单晶体中位错结构的影响主要体现在使主滑移面上的位错运动,从而使位错淹没,使位错密度减小、位错密度梯度增大.脉冲电流处理还能够激活次滑移系中的位错运动,使主滑移系中的位错运动受到阻碍,或与主滑移系中的位错发生反应,形成新的位错结构.对比文献中报道的实验现象和本实验结果指出,位错结构的热稳定性与试样的体积有关.上述有关结果,使我们对高密度脉冲电流处理下疲劳铜单晶中的位错行为及机理有了一个较全面的了解.为进一步研究脉冲电流处理对材料的作用及材料的损伤修复提供了较坚实的基础.