应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,受到大家越来越广泛的关注,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点。本文基于K?P能带理论,分析了在压应力下,应力对应变Ge/(001)Si1-xGex在Γ点处能级分裂的影响,建立了空穴平均有效质量、空穴电导率有效质量及空穴态密度有效质量模型及压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型,应力与离化杂质散射、声学声子散射、非极性光学声子散射以及总散射几率的关系模型,研究了应力强度对空穴各向同性、各向异性迁移率的影响,并在此基础上,获得了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴散射与迁移率模型,并对该模型进行了模拟仿真,揭示了应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构、空穴散射几率以及各向异性空穴迁移率随应力的演化规律:压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴声学声子散射几率与非极性光学声子散射几率随应力的增加而显著减小,特别是声子散射几率,降低约一个数量级;在应力的作用下,压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴总散射几率亦随应力的增加而显著减小,空穴各向同性、各向异性迁移率均显著增强;当应力持续增大时,空穴迁移率面内各向异性不再明显。本文研究成果对应变Ge器件及其相关集成电路的研究与设计具有重要的理论参考意义。