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本论文采用非平衡磁控溅射离子镀技术，分别在硅单晶与聚酰亚胺树脂表面制备了Mo、Mo(Si)和MoSi2薄膜。讨论了Si含量对Mo(Si)薄膜微观组织与性能的影响规律，分析了Mo(Si)薄膜的氧化机制。同时对不同温度退火处理的MoSi2薄膜进行了微观组织观察与电学性能测试，揭示了不同退火温度下薄膜微观组织变化对电学性能的影响规律，讨论了MoSi2薄膜不同退火温度下的相变机制。
在沉积态的Mo(Si)薄膜中，Mo以晶态形式存在，Si在Mo中固溶引起晶格畸变形成α-Mo相，Si以非晶态形式存在；Mo薄膜以及Mo(Si)薄膜，均沿Mo(110)晶面呈柱状择优生长。与纯Mo薄膜的电阻率值对比，随着Si含量的增加Mo(Si)薄膜试样的电阻率升高，非晶态Si对薄膜电阻率值有很大影响。Mo(Si)薄膜微拉伸实验中，薄膜脆性随着Si含量的增加而加大，薄膜延展性降低。Si在钼中固溶，引起晶格畸变，所产生的应力场与位错发生作用，阻碍位错的滑移，使晶粒变形阻力增大，从而使材料得到强化。屈服强度随着Si含量的增加出现先降低后升高的趋势，在Si含量为0～2.57wt.％之间出现了固溶软化现象。
在实验给定的条件下，氧化实验显著影响了Mo薄膜的电阻率值，而掺杂不同Si含量的Mo(Si)薄膜，均提高了Mo薄膜的抗氧化性能。Mo(Si)薄膜中，Si与氧气具有较强的亲和力，发生选择性氧化，在薄膜表面形成SiO2保护膜，使得薄膜保持良好的导电性。氧化实验中由于内应力，纯Mo薄膜中，形成的内应力超过了氧化膜自身的强度或氧化物与金属的结合强度，氧化物由于自身内应力而开裂，同时引起未被氧化的Mo薄膜同时开裂。Si掺杂Mo薄膜有效降低了Mo(Si)薄膜的内应力。
沉积态的MoSi2薄膜呈非晶态，且随着Si含量的增加非晶态越明显，MoSi2薄膜呈非晶态多层结构，Mo-Si-1(靶电流比：3:0.5)试样出现了柱状微结构。随着Si含量的增加MoSi2薄膜电阻率值增大。薄膜的硬度与屈服强度随着Si含量的增加而下降。薄膜中非晶态硅逐渐增多，其强度要低于铜硅相，随着Si％的增加，薄膜的强度越小。
退火处理后使MoSi2薄膜开始晶化，随着退火温度升高、退火时间的延长晶化程度越来越明显，依次出现了Mo5Si3和具有高电阻率的六方MoSi2相，以及900℃高温退火下得到具有低电阻率的MoSi2相。随退火时间的延长和退火温度的升高，薄膜中的颗粒逐渐由狭长的针棒状向等轴状演变，当在900℃退火1h后，薄膜呈弥散分稚的等轴状。600℃退火使得薄膜的电阻率增加，且600℃下随退火时间的延长，电阻率值不断增加，当900℃退火1h后，出现具有低电阻率的MoSi2四方相，MoSi2薄膜的电阻率较600℃退火后的电阻率明显减小。不同温度退火对MoSi2薄膜的电阻率值有不同的影响，影响电阻率值变化的主要因素是热处理后薄膜中的相组成。