绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)技术实现器件全介质隔离，彻底消除体硅CMOS寄生闩锁效应，具有功耗低、速度快、集成度高等显著特色。PDSOI器件体区并未完全耗尽，出现浮体效应。浮体效应对器件特性产生多方面的影响，主要有Kink效应、LKE效应、反常亚阈值摆幅效应、早期击穿效应及记忆效应，这极大的限制了SOI技术的广泛应用。本论文重点开展PDSOI器件浮体效应的研究，创新性提出有效抑制浮体效应的TDBCSOI新技术，主要获得如下四方面的成果:　　 1.TCAD仿真研究0.13微米SOI工艺。分析工艺参数对阈值电压、饱和电流及关态漏电等关键器件性能参数的影响规律，仿真研究PDSOI器件的短沟道等小尺寸效应。进行TCAD校准工作，优化工艺设计，为0.13微米SOI工艺的开发提供了有效指导。　　 2.研究了PDSOI器件的浮体效应，分析浮体效应对器件性能的影响:Kink效应、LKE效应、反常亚阈摆幅效应及早期击穿效应。开展LKE效应机理研究，首先分析栅电流成分，然后设计测试方案分析栅至体的隧穿机理，验证0.13微米SOI工艺LKE效应的AHI和AEI模型。进一步研究了PDSOI器件浮体效应的温度及应力特性。　　 3.研究了PDSOI器件的记忆效应。设计PDSOI器件记忆效应表征方法:IDhysteresis=IhD=IfD-IrD。利用复合理论，揭示了记忆效应的背栅特性机理。　　 4.首次提出抑制浮体效应的TDBCSOI技术。TDBCSOI器件通过在源区嵌入隧道二极管，从而抑制浮体效应。利用0.13微米SOI工艺成功制备TDBCSOI器件，有效抑制浮体效应，彻底消除Kink效应、LKE效应、反常亚阈摆幅效应、早期击穿效应及记忆效应，并且抑制浮体效应的效果不受器件尺寸的限制。相对于其他抑制浮体效应的方法，TDBCSOI技术具有工艺简单、节省面积、与集成电路工艺完全兼容的优势。相对于FBSOI器件，ION/IOFF升高，Gm/ID有10％的提升，TDBCSOI器件将为SOI数字和模拟应用提供全新的解决方案。