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本文主要开展了将NASICON玻璃陶瓷应用作耐高温吸波材料基体的研究。主要工作包括：溶胶凝胶法制备NASICON陶瓷先驱体的研究及其改进；热压烧结NASICON陶瓷的研究；NASICON陶瓷电学性能的研究等。
本文的主要结论有：
1.使用草酸作为络合剂改进溶胶凝胶法制备NASICON先驱体原料粉，草酸的络合作用能避免NASICON溶胶凝胶产生磷酸锆沉淀，从而避免产生成分不均匀分布。
2.热压烧结制备NASICON陶瓷能有效的提高陶瓷的致密度，并改善其结晶性能。在实验采用的烧结温度范围内，其致密度随热压烧结温度的上升而增加。3.研究了热压烧结NASICON陶瓷的部分力学性能，用20MPa的压力在1000℃～1150℃温度区间内热压烧结组分为1.8≤X≤2.2的NASICON陶瓷样品，抗弯强度随烧结温度的上升而增加，在烧结温度1100℃时达到最大值，继续升高烧结温度导致晶型转变使抗弯强度下降。
4.研究了热压烧结NASICON陶瓷的导电性能，发现在热压条件下烧结的NASICON陶瓷样品的离子电导率比无压烧结NASICON材料有较大的提高，相应的电导率激活能也有所下降。其中1150℃热压烧结NASICON陶瓷样品(组分X=2.0)，其室温电导率达到5.6×10-3S/cm，高于目前已经见到的文献报道的最高值4.4×10-3S/cm。而对NASICON陶瓷的交流电导率的分析表明，电导率σ(ω)的变化大体符合离子跳跃弛豫模型的预测。
5.热压NASICON材料的介电损耗Tan6峰值的大小随烧结温度的提高而明显下降，其对应的频率随烧结温度的上升向高频方向移动。
6.研究了热压NASICON陶瓷在8.2GHz～12.4GHz频段的介电性能，发现NASICON陶瓷的介电常数随烧结温度的上升而上升，但没有明显的频散效应，可以通过控制NASICON陶瓷的烧结致密度来控制其介电常数。