氮化硼（BN）是一种新型的无机非金属材料,具有耐热性能好、热膨胀系数低、导热系数高、润滑性能优异以及化学稳定性高等优点,被广泛用于陶瓷材料、固体润滑材料、吸附材料、储氢材料、电子器件、切削工具及光学器件等领域。因此,氮化硼的制备已成为研究热点。目前,制备氮化硼的方法有碳热还原法、化学气相沉积法、自蔓延燃烧法、溶剂热合成法及微波加热法和熔盐法等。其中,微波加热法既可减少反应时间,也可提高反应效率;而熔盐法既可降低反应的合成温度,也可减少产物中杂质的生成,还可减小产物粒径。故本文分别使用微波加热法及熔盐法制备六方氮化硼（h-BN）,通过XRD、FTIR、SEM及激光粒度分布仪对产物进行表征;此外,运用Materials Studio模拟软件对0～100GPa下立方氮化硼（c-BN）的力学、电子结构及光学性质的变化进行研究。主要研究内容与结论如下所示:（1）使用微波加热法制备h-BN,以碳化硅为微波吸收剂,以氯化钠-氯化钾为熔盐体系。首先,以三聚氰胺和硼酸作为反应原料,分别对不同的影响因素进行研究,确定最佳反应条件,在此条件下所得h-BN纯度最高,且无杂质相,形貌由分散均匀的片层状h-BN组成;另外以尿素和无水硼砂作为反应原料,对不同影响因素进行研究,确定最佳反应条件,此时所得产物中无杂质相,且结晶度最高。（2）使用熔盐法制备h-BN,以尿素、无水硼砂为反应原料,以氯化钠-氯化钾为熔盐体系,以管式炉作为反应仪器,分别对不同的影响因素进行研究,确定最佳反应条件,此时所得产物为纯相的h-BN,且趋于形成粒径均匀,片层状的h-BN。（3）使用Material Studio软件研究了0～100GPa范围内c-BN的力学、电子结构及光学性质的变化,发现随着压力增大,c-BN一直保持力学稳定,但其弹性常数会逐渐增大,且材料的可压缩性也会逐渐变差;零压下c-BN的禁带宽度为4.367e V,故c-BN为间接宽带隙半导体,且c-BN的禁带宽度随压力的增加逐渐增大,态密度谱图随压力增加变化不明显;分析c-BN的Mulliken布居分布,发现B-N键的共价性随着压力增加而增强;此外,还对不同压力下c-BN的复介电函数、折射率、反射率等进行分析,发现随着压力增大,它们都产生一定蓝移,且在整个可见光谱范围以及红外与紫外（约从204nm开始）光谱的很大范围内都透明。