金属诱导多晶硅薄膜制备与研究

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【摘要】

：

多晶硅薄膜因其较高的载流子迁移率、较低的制备成本以及良好的光电稳定性而被广泛应用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。金属诱导法具有晶化温度低、晶化时间短、制备成本低的优点,对多晶硅薄膜的制备以及多晶硅薄膜太阳能电池的研究具有重要的意义。本文采用金属Ni诱导的方法成功制备了多晶硅薄膜,主要工作有:用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜;用真空热蒸镀法在非晶硅薄膜上制备金属Ni

【作者】

：

张良艳

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

多晶硅薄膜 Ni诱导晶化晶粒尺寸结晶度

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