论文部分内容阅读
实验目的:研究50 Hz、0.4 mT工频磁场暴露对人羊膜细胞(FL细胞)神经酰胺代谢及相关信号通路的影响。实验方法:FL细胞接种于60 mm培养皿,培养24 h,经50 Hz、0.4 mT磁场持续暴露60min后提取细胞脂类,运用高效液相色谱串联质谱法(HPLC-MS/MS)检测分析细胞内鞘磷脂(SM)、二氢鞘氨醇、鞘氨醇和鞘氨醇1-磷酸(S1P)的含量;使用酸性鞘磷脂酶(A-SMase)抑制剂丙咪嗪(imipramine)预处理细胞,再检测分析工频磁场暴露后细胞内SM的含量;利用Cathepsin D活性检测试剂盒分析工频磁场暴露后FL细胞内Cathepsin D的活性;采用western blot技术分析工频磁场暴露60min后细胞内PP2AcY307位点的磷酸化水平;采用western blot技术分析工频磁场暴露60 min后细胞内ERK1/2的磷酸化水平,再用鞘氨醇激酶(SphK)抑制剂SKI Ⅱ预处理细胞,分析工频磁场暴露后细胞内S1P与ERK1/2磷酸化之间的关系;采用CCK-8试剂盒检测工频磁场暴露60 min,再分别经0h,3h,6h,12h,24h,36h培养后细胞的增殖情况;使用ERK激酶(MEK1/2)抑制剂U0126预处理细胞,再分析工频磁场暴露对FL细胞增殖的影响,探究工频磁场暴露条件下ERK1/2磷酸化与细胞增殖之间的关系;最后使用SphK抑制剂SKI Ⅱ预处理细胞,验证工频磁场暴露条件下S1P与细胞增殖之间的关系;实验结果:研究结果表明,暴露于50 Hz、0.4 mT磁场60 min后,FL细胞内SM含量下降,与假辐照组相比,C24-SM组、C24:1-SM组和C16-SM组差异具有统计学意义(P<0.05);而丙咪嗪预处理能够有效抑制工频磁场暴露诱导的SM含量的下降。工频磁场暴露可诱导FL细胞内二氢鞘氨醇含量的增加(P<0.05)。然而,工频磁场暴露不影响FL细胞内Cathepsin D的活性和PP2AcY307位点的磷酸化水平(活化)。工频磁场暴露60min后,FL细胞内ERK1/2磷酸化水平增高,与假辐照组相比,其差异具有统计学意义(P<0.05);而SKI Ⅱ预处理细胞能够有效抑制工频磁场暴露诱导的胞内ERK1/2磷酸化(P<0.05)。FL细胞经工频磁场暴露60min并经不同时间(0h,3h,6h,12h,24h,36h)培养后,细胞增殖活动增强,与假辐照组相比,24 h培养组(P<0.01)和36 h培养组(P<0.05)差异具有统计学意义,而且MEK1/2抑制剂U0126和SphK抑制剂SKI Ⅱ分别预处理细胞都能明显抑制工频磁场暴露诱导的细胞增殖(P<0.01)。结论:1.50 Hz、0.4 mT工频磁场暴露可通过激活细胞内SM的水解途径和从头合成途径,诱导神经酰胺产生;2.工频磁场暴露不影响FL细胞内Cathepsin D活性和PP2Ac磷酸化水平(PP2A活性);3.50 Hz、0.4 mT工频磁场暴露能够通过诱导FL细胞内S1P的产生,激活ERK1/2信号通路,从而促进细胞增殖。