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采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法分别在镀Ag、镀Cu玻璃衬底上低温沉积出高质量多晶硅薄膜。使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了在不同灯丝／衬底间距(5～10mm)、灯丝温度(1800～1300℃)以及对应的衬底温度(320～180℃)等实验条件下，金属过渡层对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律．并利用电子显微探针(EPMA)观察Cu元素在样品截面上的浓度分布，研究热丝法沉积多晶硅薄膜过程中Cu元素的扩散行为。