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NiW合金基带由于其高的织构度，良好的机械性能和磁性能是涂层导体用织构基带的主要选择之一。目前为止，主要的NiW合金基带有Ni-5at.％W(Ni5W)合金基带、Ni-7at.％W(Ni7W)合金基带、Ni-9at.％W(Ni9W)合金基带和Ni基复合基带。其中Ni5W合金基带可以进行商业化生产，Ni9W合金基带由于层错能的降低导致不易形成立方织构，Ni基复合基带的实用性还没有进行表征。本文针对以上几类NiW合金基带开展了以下工作: 首先，采用温轧工艺对Ni9W合金基带的织构形成过程进行了分析。发现，提高轧制温度可以减少形变组织中剪切带的含量，同时增加了40°<111>晶界的含量;随轧制温度的升高，形变机制发生转变，形变组织向铜型形变织构发展，确定最佳的轧制温度为500℃。对其形核行为进行分析发现，动态回复延缓了晶粒的再结晶进程，并使再结晶晶粒形核方式由随机形核转变为“优先形核”，进而使晶粒具有“条带状”的分布状态;动态回复后立方晶核具有“尺寸优势”，有利于长大成为最终的立方取向晶粒。高温热处理后，90％变形量的温轧基带中，立方晶粒和轧制取向晶粒都具长大优势，并以吞并其他未知取向晶粒和少量{326}<835>取向晶粒长大，95％变形量的基带中只有立方晶粒具有形核与长大优势，最终在1100℃进行60min热处理后，500℃温轧Ni9W合金基带的立方织构含量为72.5％(＜15°)，与相同变形量下Ni5W合金基带的立方织构含量相当; 其次，对Ni7W、Ni9W合金基带和Ni基复合基带上外延生长GZO过渡层进行了研究。得出，制备的Ni7W合金基带立方织构含量为98.5％(＜10°)，小角度晶界的含量为91.2％(＜10°)，其上外延生长的GZO薄膜Phi扫描和摇摆曲线半高宽分别为5.95°和6.33°;制备了立方织构含量达91.1％(＜10°)的Ni9W合金基带，但GZO过渡层面外取向下降;同时，在Ni5W/Ni12W/Ni5W复合基带外延生长的GZO过渡层，表面粗糙度为4.69nm，并且外延了基带的立方织构。研究结果表明在Ni7W和复合基带上可以成功的外延生长高质量的过渡层薄膜; 最后，对Ni5W合金基带织构形成过程中的磁学性能进行了研究。在去应力热处理过程中，基带的形变织构未发生明显的变化，初始磁化率随热处理温度的升高而增加，饱和磁化强度和矫顽力逐渐降低，这主要受晶粒的取向度和畴壁运动的影响;在织构转变的过程中，立方取向晶粒具有形核与长大优势，织构转变后<001>丝织构的含量大幅上升，基带较易磁化，表现出顺磁性特征;减小基带厚度增加了饱和磁化强度和磁滞损耗，较高的热处理温度使磁滞损耗有所增加，从实际应用的角度考虑，基带的厚度不易过薄，高温热处理温度不易过高。