铜铟镓硒(CIGS)太阳电池是目前效率最高的薄膜太阳电池，其小面积制备效率最高已经达到21.7％，大面积器件已经超过15%。铜锌锡硒(CZTSe)太阳电池是由CIGS太阳电池发展而来的，由于避免了In和Ga的使用，可以有效降低电池的成本，目前CZTSe太阳电池已经具有超过10%的效率。通常的CIGS太阳电池和CZTSe太阳电池在制备时，大部分制备过程都是在真空环境下制备，但是在制备缓冲层时，仍然采用非真空法制备硫化镉(CdS)缓冲层，这样样品将经历真空-非真空-真空条件，中间存在真空室的抽放气过程，造成了大量时间和能量的浪费。本文通过真空法制备 Zn(O,S)缓冲层，有利于 CIGS、CZTSe太阳电池全真空法制备工艺的实现。　　本文通过射频溅射法制备了Zn(O,S)缓冲层，对不同沉积条件下的Zn(O,S)薄膜的性质作出了探究。研究发现：降低功率能够有效地增加薄膜中的 O含量；溅射气压对Zn(O,S)的溅射速率和薄膜成分影响则非常小；少量O2的通入增加了薄膜的沉积速率，并且在衬底温度较高的时候，通入的O2会有效地掺入薄膜。此外，在溅射的 Zn(O,S)薄膜中，存在着大量的 Zn(O,H)2相，与之相类似的是，在CBD方法制备的Zn(O,S)缓冲层中也大量存在Zn(O,H)2相。　　通过XPS测试、CV测试、Hall测试、椭圆偏振等测试手段，确定了Zn(O,S)/CIGS异质结能谱，获得的数据被用在 wxAMPS太阳电池分析软件中，用来辅助分析缓冲层对太阳电池的影响。　　在Zn(O,S)缓冲层的CIGS太阳电池上，研究了不同条件下制备的Zn(O,S)缓冲层对CIGS太阳电池的影响。溅射缓冲层的电池结构为CIGS/Zn(O,S)-1/Zn(O,S)-2，缓冲层分为双层溅射，以方便进行参数对比。Zn(O,S)-1中添加 O2，发现比在Zn(O,S)-2中添加O2更能够有效促进电池的效率，通过模拟和实验验证了O2对缓冲层成分的影响。在常温、100℃和150℃下制备Zn(O,S)缓冲层时，发现随着温度的升高，整个电池效率的分布也趋向于均匀；温度的升高同时有利于 Zn(O,S)中O/S成分的增加。在分析Zn(O,S)-1中不同功率和不同气压对CIGS太阳电池的影响的时候，发现电池的厚度可以通过溅射功率的调节而变化从而影响短路电流，而增加溅射气压会有效地增加电池分布的均匀性。CIGS太阳电池的最高效率已经达到10.06%。　　本文还对 Zn(O,S)缓冲层的 CIGS太阳电池做了光处理和热处理，发现对于CIGS太阳电池来说，基本不存在Light-Soaking现象，通过热处理分析了Zn(O,H)2材料对整个电池的影响，实验发现，Zn(O,H)2分解前后对太阳电池的影响非常微弱。　　本文还在CZTSe太阳电池上沉积了Zn(O,S)缓冲层，并对CZTSe太阳电池的特性做了研究。与CIGS太阳电池不同的是，在CZTSe太阳电池中，存在着明显的Light Soaking Effect，这说明在CZTSe太阳电池CBO非常大的情况下，通过光照可以在很大程度降低CBO的数值，从而改善电池的效率。CZTSe太阳电池的效率已经达到5.64%。